2021年11月13日，武汉光迅科技股份有限公司（简称“公司”或“光迅科技”）发布公告称，公司拟募集不超过194,511.36万元的资金投资建设“高端光通信器件生产建设项目”及“高端光电子器件研发中心建设项目”。

据披露，“高端光通信器件生产建设项目”拟在武汉市东湖新技术开发区综合保税区新建 67,874.00 平方米厂房及配套设施，其中预留 10,000.00 平方米的面积，另购置 65,727.75 万元先进生产设备，投产后形成年产 5G/F5G 光器件 610.00 万只、相干器件、模块及高级白盒 13.35 万只、数通光模块 70.00 万只的规模。项目建设完成后，将有助于提升公司生产能力，解决公司产能瓶颈，升级工艺平台及封装能力，提升高端产品供货能力，充分满足客户交付要求，逐步扩大市场份额，增强自身盈利水平，巩固公司在行业内的领先地位。本项目计划投资总额为 128,474.29 万元，其中建设投资 110,559.28 万元，铺底流动资金 15,703.83 万元，预备费 2,211.19 万元。项目建设期为 2.5 年。本项目预计总投资额为 128,474.29 万元，拟使用募集资金 108,559.28 万元。

“高端光电子器件研发中心建设项目”拟建设研发办公场地 6,240 平方米，研发实验室 27,800 平方米，预留面积10,000 平方米，从总部调配 180 名研发技术人员，另引进 600 名研发技术人员，建设国内先进、与公司发展相匹配的研发中心。本项目建成后将为公司搭建一个综合的研发平台，提高公司整体研发水平，加快公司产品更新迭代，拓展业务发展链条，促进公司可持续发展。研发中心重点解决 5G、数据通信前沿核心光电子产品需求，满足国内亟需的下一代光通信接入、智能光网络、超高速数据中心的应用需求，在公司传输、接入、数据通信等技术和产品基础上，进行硅基光电子先进封装工艺、硅基光电子产品、50G PON 技术、波长选择开关（WSS）、超宽带放大器技术等相关工艺、产品、技术的开发，进一步增加公司技术储备，确保公司产品竞争力的可持续性。本项目总投资 87,952.08 万元，其中建筑工程费 23,105.00 万元，软硬件购置费用36,393.32 万元，设备安装工程费用 1,699.11 万元、工程建设其他费用 2,635.25 万元，研发费用 22,842.75 万元、预备费 1,276.65 万元。项目建设期为 3 年。本项目预计总投资额为 87,952.08 万元，拟使用募集资金 85,952.08 万元。

光迅科技称，本次非公开发行 A 股股票募集资金投资项目的实施，主要目的是进一步优化产品结构，提升高端产品供货能力，优化公司研发环境、增强研发实力，有利于提高公司的总体竞争能力、整体发展水平和盈利能力。