2022年3月18日晚，武汉光迅科技股份有限公司（以下简称“光迅科技”或“公司”）发布公告称，公司拟募集资金总额不超过194,511.36万元投资建设“高端光通信器件生产建设项目”和“高端光电子器件研发中心建设项目”。

据披露，“高端光通信器件生产建设项目”拟在武汉市东湖新技术开发区综合保税区新建 67,874.00 平方米厂房及配套设施，其中预留 10,000.00 平方米的面积，另购置 65,727.75 万元先进生产设备，投产后形成年产 5G/F5G 光器件 610.00 万只、相干器件、模块及高级白盒 13.35 万只、数通光模块 70.00 万只的规模。项目建设完成后，将有助于提升公司生产能力，解决公司产能瓶颈，升级工艺平台及封装能力，提升高端产品供货能力，充分满足客户交付要求，逐步扩大市场份额，增强自身盈利水平，巩固公司在行业内的领先地位。本项目计划投资总额为 128,474.29 万元，其中建设投资 110,559.28 万元，铺底流动资金 15,703.83 万元，预备费 2,211.19 万元。项目建设期为 2.5 年。

“高端光电子器件研发中心建设项目”拟建设研发办公场地 6,240 平方米，研发实验室 27,800 平方米，预留面积10,000 平方米，从总部调配 180 名研发技术人员，另引进 600 名研发技术人员，建设国内先进、与公司发展相匹配的研发中心。本项目建成后将为公司搭建一个综合的研发平台，提高公司整体研发水平，加快公司产品更新迭代，拓展业务发展链条，促进公司可持续发展。研发中心重点解决 5G、数据通信前沿核心光电子产品需求，满足国内亟需的下一代光通信接入、智能光网络、超高速数据中心的应用需求，在公司传输、接入、数据通信等技术和产品基础上，进行硅基光电子先进封装工艺、硅基光电子产品、50G PON 技术、波长选择开关（WSS）、超宽带放大器技术等相关工艺、产品、技术的开发，进一步增加公司技术储备，确保公司产品竞争力的可持续性。项目总投资 87,952.08 万元，其中建筑工程费 23,105.00 万元，软硬件购置费用36,393.32 万元，设备安装工程费用 1,699.11 万元、工程建设其他费用 2,635.25 万元，研发费用 22,842.75 万元、预备费 1,276.65 万元。项目建设期为 3 年。

光迅科技称，本次募集资金主要投资于高端光通信器件生产建设项目和高端光电子器件研发中心建设项目，围绕公司主营业务展开，不会导致公司主营业务方向发生变更，有利于进一步增强公司的核心竞争力，巩固公司的市场地位，扩大收入规模，提高公司的持续盈利能力，促进公司可持续发展。