2022年4月15日，武汉光迅科技股份有限公司（简称“光迅科技”或“公司”）发布公告称，公司拟募集177,310万元投资建设“高端光通信器件生产建设项目”及“高端光电子器件研发中心建设项目”。

据披露，“高端光通信器件生产建设项目”拟在武汉市东湖新技术开发区综合保税区新建67,874.00平方米厂房及配套设施，其中预留10,000.00平方米的面积，另购置65,727.75万元先进生产设备，投产后形成年产5G/F5G光器件610.00万只、相干器件、模块及高级白盒13.35万只、数通光模块70.00万只的规模。项目建设完成后，将有助于提升公司生产能力，解决公司产能瓶颈，升级工艺平台及封装能力，提升高端产品供货能力，充分满足客户交付要求，逐步扩大市场份额，增强自身盈利水平，巩固公司在行业内的领先地位。本项目计划投资总额为128,474.29万元，其中建设投资110,559.28万元，铺底流动资金15,703.83万元，预备费2,211.19万元。项目建设期为2.5年。

“高端光电子器件研发中心建设项目”拟建设研发办公场地6,240平方米，研发实验室27,800平方米，预留面积10,000平方米，从总部调配180名研发技术人员，另引进600名研发技术人员，建设国内先进、与公司发展相匹配的研发中心。本项目建成后将为公司搭建一个综合的研发平台，提高公司整体研发水平，加快公司产品更新迭代，拓展业务发展链条，促进公司可持续发展。研发中心重点解决5G、数据通信前沿核心光电子产品需求，满足国内亟需的下一代光通信接入、智能光网络、超高速数据中心的应用需求，在公司传输、接入、数据通信等技术和产品基础上，进行硅基光电子先进封装工艺、硅基光电子产品、50GPON技术、波长选择开关（WSS）、超宽带放大器技术等相关工艺、产品、技术的开发，进一步增加公司技术储备，确保公司产品竞争力的可持续性。本项目总投资87,952.08万元，其中建筑工程费23,105.00万元，软硬件购置费用36,393.32万元，设备安装工程费用1,699.11万元、工程建设其他费用2,635.25万元，研发费用22,842.75万元、预备费1,276.65万元。项目建设期为3年。

光迅科技称，本次非公开发行A股股票募集资金投资项目的实施，主要目的是进一步优化产品结构，提升高端产品供货能力，优化公司研发环境、增强研发实力，有利于提高公司的总体竞争能力、整体发展水平和盈利能力。