近日，飓芯科技的氮化镓（GaN）半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，市政府秘书长刘伯臣共同见证。

氮化镓半导体激光器目前覆盖近紫外（375 nm）至绿光（532 nm）的波长范围，广泛应用于激光曝光、激光显示、激光焊接、激光照明、激光指示、激光传感等重要领域。

由于技术门槛较高，只有国际极少数顶尖企业掌握该芯片的生产制造技术。为解决氮化镓激光器芯片“卡脖子”问题， 2020年9月，飓芯科技正式签约入驻北部生态新区智能电网产业园。

经过两年多的不懈努力，飓芯科技建成了国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线，产线包含8大工艺站点，拥有全球领先的半导体量产设备100余台，涵盖衬底、外延，工艺与封测等各生产环节。

来自北京大学的研发团队经过逾20年的刻苦攻关，在数十项国家级和省部级科研项目的大力支持下，攻克了氮化镓半导体激光器相关的主要科学和技术问题，建立了芯片制备技术中的8大核心工艺，打破国外企业长期的技术垄断，有力实现“弯道超车”。

飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线的投产，将极大地促进飓芯科技发展成为国内第三代半导体行业细分领域的龙头企业，带动上下游形成完整的第三代半导体产业链，辐射全国，服务全球。此外，飓芯科技在实现技术革新、推动产业链重塑的同时，也致力于建设氮化镓半导体技术人才高地，不断凝聚半导体高端人才，持续培育半导体中坚力量，这将为柳州市持续吸引高素质科技人才起到良好的示范效应。