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长飞100亿打造长飞先进武汉基地 聚焦第三代半导体功率器件
来源:本站原创  浏览次数:163  发布时间:2023-12-01

2023年12月1日,长飞先进武汉基地建设誓师大会在光谷科学岛圆满举行。作为长飞先进发展战略关键一环,武汉基地的顺利建设、投产对公司发展壮大至关重要。会上,武汉市东湖高新区相关领导、股东、投资人、合作伙伴及项目总包单位、工程团队等齐聚一堂,与长飞先进管理团队共同见证了这一重要时刻。

长飞先进武汉基地坐落于湖北省武汉市光谷科学岛,一期占地344亩、预计投资100亿元。武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发生产,致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。自今年8月25日正式签约落地光谷科学岛以来,在政府及有关单位大力支持下,武汉基地正在快速、高效地不断朝前推进。
       长飞先进总裁陈重国首先在开场致辞中对各位来宾表示了热烈欢迎和衷心的感谢。他表示,武汉基地项目的落地离不开政府、股东还有合作伙伴的大力支持,希望通过本次武汉基地誓师大会能让大家看到长飞先进向着“世界领先的宽禁带半导体公司”不断迈进的坚定步伐,同时也希望项目建设及配套支持单位齐心协力,将武汉基地建设成为全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。

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