开发应用于数据通信、移动通信5G领域的25Gb/s激光器、探测器芯片及器件，实现产业化批量生产，提升支撑国家信息基础建设的能力，实现100万只规模化应用。

1.发射芯片主要技术指标：传输速率~25GHz，边摸抑制比>35dB，消光比>7dB；

2.接收芯片主要技术指标：3dB电带宽>20GHz，响应度>0.7A/W，灵敏度<-12dBm。

铁氧体片封装材料

实现适合低温烧结的高性能铁氧体片材料产业化，产能可达200万m²/年，要求产品在

频率100kHz—200kHz条件下具有高磁导

率、低损耗的特点。

1.复数磁导率（f=128kHz）:μʹ=1000±20%、μ"≤20；

2.饱和磁化强度（f=128kHz、t=25℃、H=1200A/m）Bs≥300mT；

3.居里温度：Tc≥95℃；

4.铁氧体片厚度公差：T±5% （T=0.08~0.3mm）。

1.产业化批量生产5G智能手机用新型陶瓷材料及背板产品，至少为两家主流智能终端用户提供批量配套。

2.实现5G通信声表面波器件用陶瓷封装基座的批量化生产。拥有该陶瓷封装基座完全自主知识产权，3年产量实现10亿只。

1. 陶瓷材料：一次粒径：≤80nm；粒度（D50）≤0.15μm；比表面积（BET）：（18±2）m2/g。

2. 背板:抗弯强度：≥1300MPa；维氏硬度：≥12GPa；介电损耗（3GHz～60GHz）:≤0.5%；断裂韧性：7MPa·m1/2。

3.封装基座：尺寸精度：（1.1±0.05）mm×（0.9±0.05）mm×（0.18±0.05）mm；单只翘曲度：≤30μm；电极共面性：≤10μm（芯片放置区域）。底部焊盘键合强度：用直径0.13mm漆包铜线焊接焊盘后拉力值≥1.47N。

2020年实现磁阻传感器在高档数控机床和机器人、电力装备以及海洋工程中的工程化产业化突破，解决高性能磁传感器1/f噪声以及加工工艺的瓶颈问题，建设数字化生产线，形成≥5000万只/年生产能力。

1.掌握高性能磁传感器设计及工艺、模组加工及工艺等技术，并实现产业化应用，建设数字化生产线，形成生产能力≥5000万只/年；

2.线性传感器功耗≤10μA，本底噪声≤100pT/Hz0.5@1Hz，灵敏度≥100mV/V/Oe，磁滞≤0.5Oe，5Oe≥饱和场≥1Oe，芯片封装尺寸6.2mm×5mm×1.75mm；编码器可实现最小分辨率0.0002°，绝对精度0.004°，支持SPI、PWM、ABI、UVW和PDI多输出方式，核心磁敏组件封装尺寸5mm×5mm×0.9mm。

形成智能型氮氧传感器本体和控制器自主知识产权，建立试验验证测试条件；实现年产15万套批量生产能力。

突破动植物、机器信息感知、决策智控、试验检测、计量检测等基础和关键共性技术；突破农用动力机械、施肥播种机械、植保机械和收获机械等机器运动参数、作业状态和质量等计量检测技术；拥有自主知识产权，实现农机作业环境与本体信息快速获取传感器及精准控制智能决策系统。

开发土壤质构、综合肥力、喂入量与谷物流量等在线感知新型传感器件8-10种；开发施肥播种机械、植保机械和收获机械等测控传感器；适合环境温度范围-40℃～+85℃，在线、动态检测误差满足实际需求，防尘、防水、防震。产业化能力：具有精密传感器和控制系统制造能力，农机专用传感器生产能力达到5万套/年的生产、测试能力。传感器误差±3%以内，防护等级IP66、平均无故障时间5000小时以上。

1.建立年产60万片AMB基板（190mm×139mm)批产线，建立年产30万片(190mm×139mm)氮化硅陶瓷生产线。

2.实现国内2-3家新能源模块、轨道交通IGBT模块应用；2-3家智能电网IGBT模块应用。

3.实现高纯度、高α相氮化硅粉体连续、批量化生产，产品稳定性能达到世界先进水平，产业化规模≥100吨/年。

4.掌握绿色制备高纯度、高活性氮化硅陶瓷粉体生产技术，为更高档次的氮化硅陶瓷提供可靠的原料保障。产业化规模≥20吨/年，产品性能与世界先进水平相当。

1.新能源汽车、轨道交通和智能电网IGBT用高端AlN-AMB和Si3N4-AMB基板产品规格：190mm×139mm；剥离强度：≥15N/mm（50mm/min）；孔洞率：≤0.5%；线条精度：±0.15mm；最小线宽：0.7mm；晶粒尺寸：≤0.1mm；温度循环：MIL-STD-88方法1010条件B，200次（典型产品）。

2.大尺寸氮化硅陶瓷及陶瓷基板：尺寸：190mm×139mm×0.32mm；抗弯强度≥600MPa；热导率≥90W/m•k；翘曲度≤0.8%；表面粗糙度Ra≤0.7μm。

3.高纯度、高α相氮化硅陶瓷粉体：α-Si3N4含量≥93%；氧含量≤1.5%；fSi≤0.1%；其它金属杂质含量≤0.1%；D50≤1μm。4.氨解法绿色制备高纯度、高活性氮化硅陶瓷粉体：α-Si3N4含量≥93%；氮含量≥38%，氧含量≤1%；fSi≤0.1%；其它金属杂质含量≤0.1%；D50≤0.5μm。

实现自主知识产权的能源用系列高分子薄膜材料产业化，并应用于高效电池组及高密度储能元器件，提高新能源使用水平。

1.开发耐高温高强度磺化聚芳醚腈质子交换膜、蜂窝交联结构高效质子交换膜、锂离子电池用聚合物基功能隔膜材料，开展材料在电池组或储能元器件上的应用验证。

2.形成湿法隔膜及涂覆隔膜产品规模化生产能力，产能≥4亿平方米/年，产品满足动力电池用锂离子隔膜材料技术指标要求：厚度公差（含涂层）±2.0μm，热收缩（150℃，1h）MD≤3.0%、TD≤2.0%，平均孔径≤0.2μm，孔隙率35～50%，穿刺强度≥30g/μm，拉伸强度MD≥150MPa、TD≥150MPa，吸液率≥80%，破膜温度≥180℃。涂覆材料：Al₂O₃纯度≥99.99%，比表面积4.0～6.0，D50 0.6～0.8μm，铁含量＜10ppm。