（一）集成电路生产装备

1

硅外延生产设备

台

晶圆尺寸≥300mm；工艺温度：1100~1500；片内厚度均匀性≤2%；电阻率片内均匀性≤3%；表面无滑移线；适用于不同规格衬底上N型、P型硅材料的外延生长

2

介质刻蚀机

台

晶圆尺寸≥300mm；刻蚀能力≥40:1；线宽≤14nm，控制精度：±2nm

3

高密度等离子刻蚀机

台

晶圆尺寸≥300mm；刻蚀均匀性：±5%，线宽≤14nm，控制精度：±2nm；刻蚀材料为硅、金属和化合物材料

4

光刻机

台

（1）扫描式：光源波长 193nm，分辨率（CD）90nm，单机套刻（OVLSMO）15nm；在 90nm 线 条情况下，焦深 DOF≥0.3μm（密集线）、DOF≥0.2μm（孤立线），6.9nm 线条均匀性（CDU）≤10%； 满足 200～300mm 半导体圆片多种工艺光刻需求

（2）分步重复投影式：满足 200～300mm 导体圆片多种工艺光刻需求；线宽≤90nm

5

离子注入机

台

（1）中束流离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；注入均匀性≤0.5%；注入重复性≤0.5%；能量范围：2～900keV

（2）大束流离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；注入均匀性≤1%；注入重复性≤1%；能量范围：200～50keV

（3）高能离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；注入均匀性 ≤0.5%；注入重复性≤0.5%；能量范围：2～1500keV

6

原子层沉积设备（ALD）

台

薄膜每层厚度≤10nm；厚度控制精度≤0.2nm；用于加工各种半导体和集成电路

7

化学机械抛光机（CMP）

台

晶圆尺寸：200～300mm；uptime≥80%；铜抛光：表面均匀性≤5%，粗糙度≤5nm；介质抛光：表面均匀性≤5%，粗糙度≤5nm

8

匀胶显影机

台

晶圆尺寸≥300mm；

（1）ArF TOK P6111；膜厚厚度：270nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤1.6nm；片间均匀 性≤0.9nm；批间均匀性≤0.9nm

（2）KrF BARC：DUV 142；膜厚厚度：70nm、90nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤0.9nm；片间均匀性≤0.6m；批间均匀性≤0.6nm

（3）I-Line PR：C7310；膜厚厚度：1210nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤2.7nm；片间均匀性≤2.7nm；批间均匀性≤2.7nm

（二）片式元件生产设备

9

电子陶瓷薄膜流延机

台

最高载带传送速度≥5000mm/min，最大涂膜宽度≥220mm；最高温度≥120℃，温控偏差:±4℃

10

多层陶瓷电容（MLCC）印刷机

台

膜卷最大可安装直径≥500mm；最大印刷区域≥400mm*400mm；印刷工作台表面与网框底面的平行度≤10μm；印刷工作台表面与印刷投的平行度≤30μm；最大生产效率≥15张/分钟

11

薄膜叠层机

台

叠片尺寸≥225mm*225mm；图像对位精度：±5μm；传送方式：卷对卷

（三）其他电子专用设备

12

全自动固化系统光纤高速拉丝装备

台

拉丝速度：2800~3000m/min；可拉光棒直径：150~180mm；塔高≥28m；实现1t涂料连续使用

13

大尺寸光纤预制棒沉积设备

套

（1）VAD工艺：VAD沉积速率≥16g/min

（2）OVD工艺：OVD沉积速率≥150g/min

14

高端材料用高温高真空烧结炉

台

均温区≥1000mm*2000mm，最高工作温度≥2600℃；极限真空度≤1*10-4Pa

15

高处度低羟基石英玻璃沉积设备

套

沉积速率≥20g/min；烧结后玻璃化芯棒直径≥300mm；金属杂质≤0.1ppm；羟基含量≤1ppm