2017年8月28日，由中国电子元件行业协会组织的“宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化”科技成果评价会在湖北省武汉市召开，该项目由武汉光迅科技股份有限公司完成。中国电子元件行业协会秘书长古群到会，武汉光迅项目组人员参加会议。

　　专家组首先听取了光迅科技的成果总体介绍，并提出质询，光迅科技项目组对质询进行答辩。专家组还查看了生产和实验现场，审核了光迅科技提交的评价资料。随后，专家组进行讨论评价。最后专家组长宣布综合评分结果及评价结论。

　　该项目围绕2.5Gb/s～10Gb/s光纤接入发射用DFB激光器和接收用APD芯片的大批量国产化，在以下核心技术上取得了创新性成果，包括：DFB激光器和APD芯片的器件结构和制备工艺；2英寸外延片高均匀光栅制备技术；用于芯片良率和可靠性控制的镀膜技术。实现了高可靠、低成本，已达到年产1亿余只的生产规模。经武汉网锐实验室检测，10Gb/s DBF激光器和10Gb/s APD芯片的主要产品性能指标与国际领先厂家的同类型产品相当。专家组认为该项目技术达到国际同类产品的先进水平。

      随着实施中国制造2025发展战略，在国家相关部门的政策支持下，企业不断推进科技创新和技术进步，促进产业转型升级。中国电子元件行业协会除开展科技成果评价外，还将拓展其他的业务领域，满足会员单位对行业管理工作新的需求，在服务会员单位、提升自身专业能力上下功夫。