浙江星曜半导体有限公司正式发布基于TF-SAW工艺的高性能Band 7、Band 26、Band 8双工器和车规级2.4GHz Wi-Fi滤波器，四款产品总体性能全面达到国际一流水准。这是星曜半导体继发布TF-SAW Band 2、Band 3、Band 20、Band 25、Band 28F、Band 1+Band 3、Wi-Fi（消费级）等重要产品后，又一次填补国内空白的力作。该次发布的产品，采用了星曜公司全新一代的增强版TF-SAW技术，在产品性能和稳定性上又迈上一个新台阶。星曜半导体坚持走高端产品自主研发路线，不断增强核心领域技术水平，在TF-SAW高性能滤波器研发及其产业化技术方面具备持续领先的水平，目前已经可以全面、稳定、大量地提供国际一流性能的滤波器（包括四工器、双工器及TRx滤波器）芯片。

TF-SAW 高性能 Band 7 双工器
针对Band 7双工器芯片，星曜半导体本次同时发布了两种通用封装尺寸：标准化尺寸1.8mm x1.4mm和小型化尺寸1.6mm x 1.2mm。发射工作频率为2500 ~ 2570MHz，接收工作频率为2620 ~ 2690MHz。

本次发布的Band 7双工器芯片采用了星曜半导体自主研发的新一代增强版TF-SAW技术，极大的提升了谐振器的Q值（与BAW谐振器Q相当甚至更好），能够满足无线通信中带外陡降和抑制的高要求。经测试（参见Fig.2），该款Band 7双工器Tx通带插损典型值小于1.7dB、Rx通带插损典型值小于1.8dB，在Tx与Rx频段隔离均大于60dB，综合性能达到国际领先水准。TF-SAW的特殊工艺设计有效解决了传统SAW滤波器技术存在频率随工作温度漂移的问题，TCF温漂系数仅为-10ppm/℃。另外，其耐受功率可达到+30dBm，能够满足目前移动通信的发射功率需要。

TF-SAW 高性能 Band 26 双工器
星曜半导体本次发布的Band 26双工器芯片，封装尺寸为1.8mm x 1.4mm，采用高性能的TF-SAW工艺，其谐振单元Q值远超过TC-SAW。发射工作频率为814 ~ 849MHz，接收工作频率为859 ~ 894MHz，发射通道与接收通道的工作频率间隔仅10MHz。

本产品运用了星曜公司的超高Q值TF-SAW谐振器技术，将传统的normal SAW谐振器Q值从1000提升到了3500，同时还极大的抑制了通带及周边的杂波，使得Band 26双工器能够满足带外陡降的高要求并且拥有更好的通带性能。其带内插损、带外抑制表现优异，Tx通带插损典型值小于1.2dB，Rx通带插损典型值小于1.5dB，在Tx频段隔离均大于55dB，在Rx频段隔离均大于58dB，综合性能达到国际一线大厂产品水准。依赖于TF-SAW的特殊工艺设计，可以有效地将电极产生的热量散发到基板上，低 TCF 和高散热的综合效应使滤波器在高工作温度下的响应稳定，有效解决了传统SAW滤波器技术存在频率随工作温度漂移的问题，本次发布的Band 26 双工器的TCF温漂系数仅为-10ppm/℃。另外，其耐受功率可达到+30dBm，能够满足目前移动通信的发射功率需要。


 TF-SAW 高性能 Band 8 双工器
星曜半导体本次发布的Band 8双工器芯片，封装尺寸为1.8mm x 1.4mm，采用TF-SAW技术路线和星曜公司自研的EDA开发软件平台及众多特有的专利技术。发射工作频率为880 ~ 915MHz，接收工作频率为925 ~ 960MHz。
高Q值的TF-SAW滤波器能够满足带外陡降的高要求。与此同时，高Q值也带来了更好的无源性能，带内插损、带外抑制表现优异，Tx通带插损典型值小于1.3dB, Rx通带插损典型值小于1.7dB，在Tx频段隔离大于55dB，在Rx频段隔离均大于57dB，综合性能已经达到国际一流水准，与美日顶尖滤波器或射频公司同款产品性能持平。

TF-SAW 车规级 2.4GHz Wi-Fi 滤波器
本次星曜半导体还重磅发布了适用于车规场景的2.4GHz Wi-Fi滤波器，涵盖两种通用封装尺寸：1.4mm x 1.1mm和1.1mm x 0.9mm。相较于常规消费类滤波器，具备更高的可靠性、稳定性、使用寿命及工作温度，同时兼具更强的静电防护能力，符合AEC-Q200标准的要求,充分体现了国产芯片技术能力的关键突破和重大跨越。
   两款滤波器均采用了星曜自主创新的高频、高Q值TF-SAW谐振器技术和新型滤波器电路结构，大幅度提升了滤波器的带外抑制程度和边缘滚降系数。优异的近边带抑制能力，使得2.4G-WiFi与B40/B7/B41的共存干扰的问题得到进一步优化，通带插损典型值小于1.5dB，在带外LTE Band 40的抑制超过50dB, 在带外5G n41抑制超过50dB，综合性能已经达到国际一流水准。依赖于TF-SAW工艺的特殊设计，实现了优秀的器件TCF、静电承受能力和承受大功率能力，温漂系数~8ppm/℃，熔断功率可达到34dBm，让器件在极低温/极高温的工作环境中性能更加稳定，更加契合部分客户严苛的适用场景。