英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将自身久经验证的磁性位置传感器技术专长与成熟的线性隧道磁阻（TMR）技术合二为一，推出XENSIV TLI5590-A6W磁性位置传感器。该传感器采用晶圆级封装，适用于线性和角度增量位置检测。这款半导体器件符合JEDEC JESD47K标准，适用于工业和消费应用并且可替代光学编码器和解码器，尤其适合用于摄像机定位镜头的变焦和对焦调整。

TLI5590是一款低磁场传感器，采用了英飞凌专为大容量传感器系统开发的TMR技术。因此，该传感器具有超高灵敏度、低抖动和低功耗的特点。相比线性霍尔传感器，TMR传感器具有更好的线性度、更小的噪声和更低的滞后。其高信噪比和低功耗可实现电量消耗低的高性价比磁路设计。

因此，这款新型传感器能够在方向快速变化的情况下进行精确检测。TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成，其中TMR电阻取决于外部磁场的方向和强度。结合多极磁铁，每个电桥都能提供差分输出信号，即正弦和余弦信号。这些信号经过进一步处理后，可用于测量相对位置。

传感器采用极小的6球晶圆级封装SG-WFWLB-6-3。由于集成密度更高，因此能够缩小传感器的尺寸以便支持微型系统的小型化和位置检测。TLI5590-A6W通过使用合适的线性或旋转式磁性编码器，实现精度高于10µm的超高精度精密测量。该传感器的最高工作温度达到+125°C，可灵活用于各种工业和消费应用。它还凭借自身的高温稳定性成为在各种恶劣环境下使用的首选传感器。