多维科技的先进TMR工艺平台助力消费电子行业拓展应用场景、实现技术路线升级

2024年2月18日消息，专注于隧道磁阻（TMR）技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司（MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT）推出了TMR4101高精度磁栅传感器芯片，适用于摄像头自动调焦和变焦、微米级位移测量、直线和角度位置测量、磁栅尺和磁编码器等消费电子和工业应用领域。

TMR4101典型输出信号波形

多维科技TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。多维科技先进的8英寸TMR工艺制程，在优化制造成本、提升芯片可靠性的同时，实现了紧凑的超薄型DFN4L(1.32 mm × 0.66 mm × 0.3 mm)封装，特别适用于以智能手机和平板电脑摄像头模组为代表的空间尺寸受限、同时需满足高精度定位要求的消费类应用场景。

TMR4101与配套磁栅的相对位置示意图

多维科技提供与TMR4101配套使用的磁极距为0.4mm的多对极磁栅，磁栅的长度和宽度可根据应用场合的需求选配。针对不同的应用场景，多维科技可为客户定制不同磁极距的磁栅和与之对应的TMR传感器芯片。

TM4101产品特性

• 隧道磁阻（TMR）技术

• 检测磁栅周期 0.8 mm

• 高灵敏度

• 宽工作电压范围

• 允许较大的测量间隙

• A、B 相模拟电压输出

• 良好的温度稳定性

• 符合 RoHS & REACH

  
  

TMR4101芯片性能参数

TMR4101配套磁栅性能参数

TMR4101芯片内部原理框图

TMR4101引脚定义

TMR4101封装图（DFN4L）

多维科技TMR4101磁栅传感器芯片与先行发布的TMR3016或TMR3017角度传感器配合使用，为智能手机摄像头自动调焦和变焦应用提供了升级的产品方案。多维科技同时为摄像头光学防抖和智能可穿戴设备规划了基于TMR技术的全新产品序列。这些新产品将于2024年内全面推向消费电子市场，以TMR技术的低功耗、高频响、高信噪比特性助力行业合作伙伴实现技术路线的升级换代。