艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET——AW401005QCSR，该产品是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件，可适用于33W至100W手机充电功率的应用。

产品规格主要参数

Package：CSP-10L
BVss ＞12V

BVgs ＞±8V
Rss(on) typ. 2.2mΩ（Vgs 4.5V）
2kV ESD HBM
WLCSP 2.98mm*1.49mm*0.11mm-10L


该产品特别使用了艾为第四代CSP抗水汽结构，极大程度地解决了以往CSP芯片贴板后容易在高温水汽环境下的失效问题，现已通过客户端的可靠性验证。

产品主要优势

AW401005QCSR具备优异的参数平衡性，兼顾应用场景的广泛性与器件的可靠性。在相同环境下，AW401005QCSR与市面竞品从导通电阻、耐压(漏电)、开关速度、雪崩电流，雪崩能量几个维度进行赛马，归一化得分表如下图所示，艾为蓝色线框为AW401005QCSR，灰色点线框为市面竞品，可以看出AW401005QCSR在各维度都表现优秀。

在相同环境下，测试AW401005QCSR与市场同类产品的反向充电保护时间，AW401005QCSR以72.1μs的时长通过测试。

在相同环境下，测试AW401005QCSR与市场同类产品的反向充电极限电压，AW401005QCSR可承受近18.5V的高压，优于市场同类产品。